SI6963BDQ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI6963BDQ-T1-GE3 | SI6963BDQ-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI6963BDQ-T1-GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SI6963BDQ-T1-GE3
LIXINC Part #	SI6963BDQ-T1-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SI6963BDQ-T1-GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SI6963BDQ-T1-GE3 Specyfikacje

Numer części:	SI6963BDQ-T1-GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 P-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.4A
rds na (maks.) @ id, vgs:	45mOhm @ 3.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
moc - maks:	830mW
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-TSSOP