STS3DNE60L | STMicroelectronics STS3DNE60L | STS3DNE60L Inventory, Best Pricing

STS3DNE60L

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STS3DNE60L
LIXINC Part #	STS3DNE60L
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STS3DNE60L Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STS3DNE60L Specyfikacje

Numer części:	STS3DNE60L
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	STripFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	60V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3A
rds na (maks.) @ id, vgs:	80mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	13.5nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	815pF @ 25V
moc - maks:	2W
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO