FDMA2002NZ_F130 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMA2002NZ_F130

FDMA2002NZ_F130

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDMA2002NZ_F130
LIXINC Part #	FDMA2002NZ_F130
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	INTEGRATED CIRCUIT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDMA2002NZ_F130 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDMA2002NZ_F130 Specyfikacje

Numer części:	FDMA2002NZ_F130
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.9A
rds na (maks.) @ id, vgs:	123mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	3nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	220pF @ 15V
moc - maks:	650mW
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-VDFN Exposed Pad
pakiet urządzeń dostawcy:	6-MicroFET (2x2)