SP8M10FU6TB | ROHM Semiconductor SP8M10FU6TB | SP8M10FU6TB Inventory, Best Pricing

SP8M10FU6TB

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SP8M10FU6TB
LIXINC Part #	SP8M10FU6TB
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SP8M10FU6TB Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SP8M10FU6TB Specyfikacje

Numer części:	SP8M10FU6TB
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N and P-Channel
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7A, 4.5A
rds na (maks.) @ id, vgs:	24mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11.8nC @ 5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	600pF @ 10V
moc - maks:	2W
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOP