ZXMN2A04DN8TC | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	ZXMN2A04DN8TC
LIXINC Part #	ZXMN2A04DN8TC
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	ZXMN2A04DN8TC Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

ZXMN2A04DN8TC Specyfikacje

Numer części:	ZXMN2A04DN8TC
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.9A
rds na (maks.) @ id, vgs:	25mOhm @ 5.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 250µA (Min)
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	22.1nC @ 5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1880pF @ 10V
moc - maks:	1.8W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO