MVDF2C03HDR2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G

MVDF2C03HDR2G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MVDF2C03HDR2G
LIXINC Part #	MVDF2C03HDR2G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MVDF2C03HDR2G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MVDF2C03HDR2G Specyfikacje

Numer części:	MVDF2C03HDR2G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N and P-Channel Complementary
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.1A, 3A
rds na (maks.) @ id, vgs:	70mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	16nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	630pF @ 24V
moc - maks:	2W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOIC