IRFH4255DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH4255DTRPBF | IRFH4255DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH4255DTRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFH4255DTRPBF
LIXINC Part #	IRFH4255DTRPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFH4255DTRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFH4255DTRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFH4255DTRPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	25V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	64A, 105A
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 35µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	15nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1314pF @ 13V
moc - maks:	31W, 38W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN
pakiet urządzeń dostawcy:	PQFN (5x6)