IRF7379PBF | IR (Infineon Technologies) IRF7379PBF | IRF7379PBF Inventory, Best Pricing

IRF7379PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF7379PBF
LIXINC Part #	IRF7379PBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF7379PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF7379PBF Specyfikacje

Numer części:	IRF7379PBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N and P-Channel
funkcja fet:	Standard
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.8A, 4.3A
rds na (maks.) @ id, vgs:	45mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	25nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	520pF @ 25V
moc - maks:	2.5W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO