FDMS3660S-F121 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS3660S-F121

FDMS3660S-F121

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDMS3660S-F121
LIXINC Part #	FDMS3660S-F121
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDMS3660S-F121 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDMS3660S-F121 Specyfikacje

Numer części:	FDMS3660S-F121
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	13A, 30A
rds na (maks.) @ id, vgs:	8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.7V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	29nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1765pF @ 15V
moc - maks:	1W
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN
pakiet urządzeń dostawcy:	Power56