IRF7756GTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7756GTRPBF | IRF7756GTRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7756GTRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF7756GTRPBF
LIXINC Part #	IRF7756GTRPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF7756GTRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF7756GTRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRF7756GTRPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 P-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	12V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.3A
rds na (maks.) @ id, vgs:	40mOhm @ 4.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	900mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	18nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1400pF @ 10V
moc - maks:	1W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-TSSOP