NTB60N06T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTB60N06T4G

NTB60N06T4G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTB60N06T4G
LIXINC Part #	NTB60N06T4G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTB60N06T4G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTB60N06T4G Specyfikacje

Numer części:	NTB60N06T4G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	60A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	14mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3220 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.4W (Ta), 150W (Tj)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D2PAK
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB