NTTFS4C08NTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS4C08NTWG

NTTFS4C08NTWG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTTFS4C08NTWG
LIXINC Part #	NTTFS4C08NTWG
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTTFS4C08NTWG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTTFS4C08NTWG Specyfikacje

Numer części:	NTTFS4C08NTWG
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.3A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	18.2 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1113 pF @ 15 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	820mW (Ta), 25.5W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-WDFN (3.3x3.3)
opakowanie / etui:	8-PowerWDFN