DMTH10H010SPSQ-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMTH10H010SPSQ-13 | DMTH10H010SPSQ-13 Inventory, Best Pricing

DMTH10H010SPSQ-13

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DMTH10H010SPSQ-13
LIXINC Part #	DMTH10H010SPSQ-13
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DMTH10H010SPSQ-13 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DMTH10H010SPSQ-13 Specyfikacje

Numer części:	DMTH10H010SPSQ-13
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11.8A (Ta), 100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	56.4 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4468 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.5W (Ta), 166W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PowerDI5060-8
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN