FGP15N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGP15N60UNDF

FGP15N60UNDF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FGP15N60UNDF
LIXINC Part #	FGP15N60UNDF
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 600V 30A 178W TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FGP15N60UNDF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FGP15N60UNDF Specyfikacje

Numer części:	FGP15N60UNDF
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typu IGBT:	NPT
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	30 A
prąd - impuls kolektora (icm):	45 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 15A
moc - maks:	178 W
przełączanie energii:	370µJ (on), 67µJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	43 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	9.3ns/54.8ns
stan testowy:	400V, 15A, 10Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	82.4 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-220-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220-3