STGP4M65DF2 | STMicroelectronics STGP4M65DF2 | STGP4M65DF2 Inventory, Best Pricing

STGP4M65DF2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STGP4M65DF2
LIXINC Part #	STGP4M65DF2
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STGP4M65DF2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STGP4M65DF2 Specyfikacje

Numer części:	STGP4M65DF2
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	M
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	8 A
prąd - impuls kolektora (icm):	16 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 4A
moc - maks:	68 W
przełączanie energii:	40µJ (on), 136µJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	15.2 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	12ns/86ns
stan testowy:	400V, 4A, 47Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	133 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-220-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB