STGF10NB60SD | STMicroelectronics STGF10NB60SD | STGF10NB60SD Inventory, Best Pricing

STGF10NB60SD

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STGF10NB60SD
LIXINC Part #	STGF10NB60SD
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 600V 23A 25W TO220FP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STGF10NB60SD Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STGF10NB60SD Specyfikacje

Numer części:	STGF10NB60SD
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	PowerMESH™
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typu IGBT:	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	23 A
prąd - impuls kolektora (icm):	80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.75V @ 15V, 10A
moc - maks:	25 W
przełączanie energii:	600µJ (on), 5mJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	33 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	700ns/1.2µs
stan testowy:	480V, 10A, 1kOhm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	37 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220FP