IMBF170R450M1XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IMBF170R450M1XTMA1 | IMBF170R450M1XTMA1 Inventory, Best Pricing

IMBF170R450M1XTMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part #	IMBF170R450M1XTMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IMBF170R450M1XTMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 05 - Oct 09 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IMBF170R450M1XTMA1 Specyfikacje

Numer części:	IMBF170R450M1XTMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	CoolSiC™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1700 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.8A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	12V, 15V
rds na (maks.) @ id, vgs:	450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 2.5mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11 nC @ 12 V
vgs (maks.):	+20V, -10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	610 pF @ 1000 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	107W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO263-7
opakowanie / etui:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA