HUFA76619D3ST | Rochester Electronics HUFA76619D3ST | HUFA76619D3ST Inventory, Best Pricing

HUFA76619D3ST

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	HUFA76619D3ST
LIXINC Part #	HUFA76619D3ST
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	HUFA76619D3ST Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 08 - Jul 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

HUFA76619D3ST Specyfikacje

Numer części:	HUFA76619D3ST
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	UltraFET™
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	18A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	85mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±16V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	767 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	75W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252AA
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63