NTTFS6H850NTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS6H850NTAG

NTTFS6H850NTAG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTTFS6H850NTAG
LIXINC Part #	NTTFS6H850NTAG
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTTFS6H850NTAG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 08 - Jul 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTTFS6H850NTAG Specyfikacje

Numer części:	NTTFS6H850NTAG
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11A (Ta), 68A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 70µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1140 pF @ 40 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.2W (Ta), 107W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-WDFN (3.3x3.3)
opakowanie / etui:	8-PowerWDFN