NP90N055VUK-E1-AY | Renesas Electronics America NP90N055VUK-E1-AY | NP90N055VUK-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP90N055VUK-E1-AY

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NP90N055VUK-E1-AY
LIXINC Part #	NP90N055VUK-E1-AY
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NP90N055VUK-E1-AY Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NP90N055VUK-E1-AY Specyfikacje

Numer części:	NP90N055VUK-E1-AY
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	55 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	90A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.85mOhm @ 45A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	102 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	6000 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.2W (Ta), 147W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252-3
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63