BSM400C12P3G202 | ROHM Semiconductor BSM400C12P3G202 | BSM400C12P3G202 Inventory, Best Pricing

BSM400C12P3G202

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSM400C12P3G202
LIXINC Part #	BSM400C12P3G202
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSM400C12P3G202 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSM400C12P3G202 Specyfikacje

Numer części:	BSM400C12P3G202
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	SiCFET (Silicon Carbide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	400A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 106.8mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	+22V, -4V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	17000 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1570W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	Module
opakowanie / etui:	Module