FQP9N08L | Rochester Electronics FQP9N08L | FQP9N08L Inventory, Best Pricing

FQP9N08L

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FQP9N08L
LIXINC Part #	FQP9N08L
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FQP9N08L Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FQP9N08L Specyfikacje

Numer części:	FQP9N08L
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	QFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	80 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.3A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	210mOhm @ 4.65A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6.1 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	280 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	40W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220-3
opakowanie / etui:	TO-220-3