PHT6NQ10T,135 | Nexperia PHT6NQ10T,135 | PHT6NQ10T,135 Inventory, Best Pricing

PHT6NQ10T,135

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PHT6NQ10T,135
LIXINC Part #	PHT6NQ10T,135
Producent	Nexperia
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PHT6NQ10T,135 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PHT6NQ10T,135 Specyfikacje

Numer części:	PHT6NQ10T,135
Marka:	Nexperia
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Nexperia
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	90mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	633 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura robocza:	-65°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-223
opakowanie / etui:	TO-261-4, TO-261AA