RM12N650LD | Rectron USA RM12N650LD | RM12N650LD Inventory, Best Pricing

RM12N650LD

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RM12N650LD
LIXINC Part #	RM12N650LD
Producent	Rectron USA
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 650V 11.5A TO252-2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RM12N650LD Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 27 - Oct 01 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RM12N650LD Specyfikacje

Numer części:	RM12N650LD
Marka:	Rectron USA
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rectron USA
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	650 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11.5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	870 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	101W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252-2
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63