RV2C010UNT2L | ROHM Semiconductor RV2C010UNT2L | RV2C010UNT2L Inventory, Best Pricing

RV2C010UNT2L

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RV2C010UNT2L
LIXINC Part #	RV2C010UNT2L
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RV2C010UNT2L Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 27 - Oct 01 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RV2C010UNT2L Specyfikacje

Numer części:	RV2C010UNT2L
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.2V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	40 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	400mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DFN1006-3 (VML1006)
opakowanie / etui:	SC-101, SOT-883