ISS55EP06LMXTSA1 | IR (Infineon Technologies) ISS55EP06LMXTSA1 | ISS55EP06LMXTSA1 Inventory, Best Pricing

ISS55EP06LMXTSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	ISS55EP06LMXTSA1
LIXINC Part #	ISS55EP06LMXTSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	ISS55EP06LMXTSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 27 - Oct 01 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

ISS55EP06LMXTSA1 Specyfikacje

Numer części:	ISS55EP06LMXTSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	180mA (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.5Ohm @ 180mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 11µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	590 pC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	18 pF @ 30 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	400mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-SOT23-3-5
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3