IRFH5110TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH5110TRPBF | IRFH5110TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH5110TRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFH5110TRPBF
LIXINC Part #	IRFH5110TRPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFH5110TRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Aug 14 - Aug 18 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFH5110TRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFH5110TRPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11A (Ta), 63A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	72 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3152 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.6W (Ta), 114W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerVDFN