FDS6162N7 | Rochester Electronics FDS6162N7 | FDS6162N7 Inventory, Best Pricing

FDS6162N7

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDS6162N7
LIXINC Part #	FDS6162N7
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDS6162N7 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Aug 15 - Aug 19 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDS6162N7 Specyfikacje

Numer części:	FDS6162N7
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	23A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	73 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5.521 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)