NTGS1135PT1G | Rochester Electronics NTGS1135PT1G | NTGS1135PT1G Inventory, Best Pricing

NTGS1135PT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTGS1135PT1G
LIXINC Part #	NTGS1135PT1G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTGS1135PT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Aug 15 - Aug 19 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTGS1135PT1G Specyfikacje

Numer części:	NTGS1135PT1G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	8 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	4.6A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.2V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	31mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	850mV @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	21 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±6V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2.2 pF @ 6 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	970mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-TSOP
opakowanie / etui:	SOT-23-6