IRF6723M2DTRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF6723M2DTRPBF | IRF6723M2DTRPBF Inventory, Best Pricing

IRF6723M2DTRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF6723M2DTRPBF
LIXINC Part #	IRF6723M2DTRPBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF6723M2DTRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF6723M2DTRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRF6723M2DTRPBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	15A
rds na (maks.) @ id, vgs:	6.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	14nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1380pF @ 15V
moc - maks:	2.7W
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	DirectFET™ Isometric MA
pakiet urządzeń dostawcy:	DIRECTFET™ MA