PMWD19UN,518 | NXP Semiconductors PMWD19UN,518 | PMWD19UN,518 Inventory, Best Pricing

PMWD19UN,518

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PMWD19UN,518
LIXINC Part #	PMWD19UN,518
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PMWD19UN,518 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PMWD19UN,518 Specyfikacje

Numer części:	PMWD19UN,518
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.6A
rds na (maks.) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	28nC @ 5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1478pF @ 10V
moc - maks:	2.3W
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-TSSOP