IRF5810 | IR (Infineon Technologies) IRF5810 | IRF5810 Inventory, Best Pricing

IRF5810

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF5810
LIXINC Part #	IRF5810
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF5810 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF5810 Specyfikacje

Numer części:	IRF5810
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 P-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.9A
rds na (maks.) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	9.6nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	650pF @ 16V
moc - maks:	960mW
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
pakiet urządzeń dostawcy:	6-TSOP