NSVDTC123JM3T5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVDTC123JM3T5G

NSVDTC123JM3T5G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NSVDTC123JM3T5G
LIXINC Part #	NSVDTC123JM3T5G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Opis	SOT-723 BIAS RESISTOR
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NSVDTC123JM3T5G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NSVDTC123JM3T5G Specyfikacje

Numer części:	NSVDTC123JM3T5G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ tranzystora:	NPN - Pre-Biased
prąd - kolektor (ic) (max):	100 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50 V
rezystor - baza (r1):	2.2 kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	47 kOhms
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	250mV @ 1mA, 10mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	500nA
częstotliwość - przejście:	-
moc - maks:	260 mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-723
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-723

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.05745	$0.05745
8000	$0.05183	$414.64

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015