RN2119MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2119MFV,L3F

RN2119MFV,L3F

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RN2119MFV,L3F
LIXINC Part #	RN2119MFV,L3F
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Opis	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RN2119MFV,L3F Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RN2119MFV,L3F Specyfikacje

Numer części:	RN2119MFV,L3F
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - bipolarne (bjt) - pojedyncze, wstępnie spolaryzowane
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ tranzystora:	PNP - Pre-Biased
prąd - kolektor (ic) (max):	100 mA
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	50 V
rezystor - baza (r1):	1 kOhms
rezystor - baza emitera (r2):	-
Wzmocnienie prądu stałego (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
nasycenie vce (maks.) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 5mA
prąd - odcięcie kolektora (max):	100nA (ICBO)
częstotliwość - przejście:	-
moc - maks:	150 mW
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	SOT-723
pakiet urządzeń dostawcy:	VESM

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.18000	$0.18

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015