FMG2G150US60E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FMG2G150US60E

FMG2G150US60E

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FMG2G150US60E
LIXINC Part #	FMG2G150US60E
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MODULE 600V 150A 500W 7PMGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FMG2G150US60E Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FMG2G150US60E Specyfikacje

Numer części:	FMG2G150US60E
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	-
konfiguracja:	Half Bridge
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	150 A
moc - maks:	500 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.8V @ 15V, 150A
prąd - odcięcie kolektora (max):	250 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	12.84 nF @ 30 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	7PM-GA
pakiet urządzeń dostawcy:	7PM-GA