2PS06017E32G28213NOSA1 | IR (Infineon Technologies) 2PS06017E32G28213NOSA1 | 2PS06017E32G28213NOSA1 Inventory, Best Pricing

2PS06017E32G28213NOSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2PS06017E32G28213NOSA1
LIXINC Part #	2PS06017E32G28213NOSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MODULE 1100VDC 325A
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2PS06017E32G28213NOSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2PS06017E32G28213NOSA1 Specyfikacje

Numer części:	2PS06017E32G28213NOSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	-
konfiguracja:	2 Independent
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	-
prąd - kolektor (ic) (max):	-
moc - maks:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
prąd - odcięcie kolektora (max):	-
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	-
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-25°C ~ 55°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module