SSM6L13TU(T5L,F,T) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6L13TU(T5L,F,T) | SSM6L13TU(T5L,F,T) Inventory, Best Pricing

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SSM6L13TU(T5L,F,T)
LIXINC Part #	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SSM6L13TU(T5L,F,T) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 26 - Sep 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SSM6L13TU(T5L,F,T) Specyfikacje

Numer części:	SSM6L13TU(T5L,F,T)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N and P-Channel
funkcja fet:	Logic Level Gate, 1.8V Drive
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	800mA (Ta)
rds na (maks.) @ id, vgs:	143mOhm @ 600mA, 4V, 234mOhm @ 600mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	268pF @ 10V, 250pF @ 10V
moc - maks:	500mW
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-SMD, Flat Leads
pakiet urządzeń dostawcy:	UF6