PHKD3NQ10T,518 | Nexperia PHKD3NQ10T,518 | PHKD3NQ10T,518 Inventory, Best Pricing

PHKD3NQ10T,518

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PHKD3NQ10T,518
LIXINC Part #	PHKD3NQ10T,518
Producent	Nexperia
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PHKD3NQ10T,518 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PHKD3NQ10T,518 Specyfikacje

Numer części:	PHKD3NQ10T,518
Marka:	Nexperia
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Nexperia
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	100V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3A
rds na (maks.) @ id, vgs:	90mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	21nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	633pF @ 20V
moc - maks:	2W
temperatura robocza:	-65°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SO