FDG6332C-F085P | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDG6332C-F085P

FDG6332C-F085P

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDG6332C-F085P
LIXINC Part #	FDG6332C-F085P
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	DUAL NP MOS SC70-6 20V
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDG6332C-F085P Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDG6332C-F085P Specyfikacje

Numer części:	FDG6332C-F085P
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N and P-Channel
funkcja fet:	Standard
dren do źródła napięcia (vdss):	20V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	700mA (Ta), 600mA (Ta)
rds na (maks.) @ id, vgs:	300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	113pF @ 10V, 114pF @ 10V
moc - maks:	300mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
pakiet urządzeń dostawcy:	SC-88/SC70-6/SOT-363