2N7002DW L6327 | IR (Infineon Technologies) 2N7002DW L6327 | 2N7002DW L6327 Inventory, Best Pricing

2N7002DW L6327

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2N7002DW L6327
LIXINC Part #	2N7002DW L6327
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2N7002DW L6327 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2N7002DW L6327 Specyfikacje

Numer części:	2N7002DW L6327
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	60V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	300mA
rds na (maks.) @ id, vgs:	3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	0.6nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	20pF @ 25V
moc - maks:	500mW
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-SOT363-6