TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8212-H(TE12LQ,M | TPC8212-H(TE12LQ,M Inventory, Best Pricing

TPC8212-H(TE12LQ,M

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TPC8212-H(TE12LQ,M
LIXINC Part #	TPC8212-H(TE12LQ,M
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - macierze
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TPC8212-H(TE12LQ,M Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TPC8212-H(TE12LQ,M Specyfikacje

Numer części:	TPC8212-H(TE12LQ,M
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - macierze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	2 N-Channel (Dual)
funkcja fet:	Logic Level Gate
dren do źródła napięcia (vdss):	30V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	6A
rds na (maks.) @ id, vgs:	21mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	16nC @ 10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	840pF @ 10V
moc - maks:	450mW
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOP (5.5x6.0)