TPC8115(TE12L,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8115(TE12L,Q,M) | TPC8115(TE12L,Q,M) Inventory, Best Pricing

TPC8115(TE12L,Q,M)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TPC8115(TE12L,Q,M)
LIXINC Part #	TPC8115(TE12L,Q,M)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TPC8115(TE12L,Q,M) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TPC8115(TE12L,Q,M) Specyfikacje

Numer części:	TPC8115(TE12L,Q,M)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSIV
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	10mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 200µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	115 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	9130 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1W (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOP (5.5x6.0)
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)