ISP13DP06NMSATMA1 | IR (Infineon Technologies) ISP13DP06NMSATMA1 | ISP13DP06NMSATMA1 Inventory, Best Pricing

ISP13DP06NMSATMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	ISP13DP06NMSATMA1
LIXINC Part #	ISP13DP06NMSATMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V SOT223
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	ISP13DP06NMSATMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

ISP13DP06NMSATMA1 Specyfikacje

Numer części:	ISP13DP06NMSATMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2.8A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	-
rds na (maks.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	-
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-SOT223
opakowanie / etui:	TO-261-3