SPU09P06PL | IR (Infineon Technologies) SPU09P06PL | SPU09P06PL Inventory, Best Pricing

SPU09P06PL

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SPU09P06PL
LIXINC Part #	SPU09P06PL
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 9.7A TO251-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SPU09P06PL Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SPU09P06PL Specyfikacje

Numer części:	SPU09P06PL
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	SIPMOS®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	9.7A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	250mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	450 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	42W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	P-TO251-3-1
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA