SI2309DS-T1-E3 | Vishay / Siliconix SI2309DS-T1-E3 | SI2309DS-T1-E3 Inventory, Best Pricing

SI2309DS-T1-E3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SI2309DS-T1-E3
LIXINC Part #	SI2309DS-T1-E3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SI2309DS-T1-E3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SI2309DS-T1-E3 Specyfikacje

Numer części:	SI2309DS-T1-E3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.25A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	340mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA (Min)
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	-
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.25W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-23-3 (TO-236)
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3