FQPF12P20YDTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQPF12P20YDTU

FQPF12P20YDTU

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FQPF12P20YDTU
LIXINC Part #	FQPF12P20YDTU
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220F
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FQPF12P20YDTU Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FQPF12P20YDTU Specyfikacje

Numer części:	FQPF12P20YDTU
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	QFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	7.3A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	470mOhm @ 3.65A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1200 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	50W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220F
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack