PH5330E,115 | NXP Semiconductors PH5330E,115 | PH5330E,115 Inventory, Best Pricing

PH5330E,115

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PH5330E,115
LIXINC Part #	PH5330E,115
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PH5330E,115 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PH5330E,115 Specyfikacje

Numer części:	PH5330E,115
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	80A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	21 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2010 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	62.5W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	LFPAK56, Power-SO8
opakowanie / etui:	SC-100, SOT-669