PSMN009-100W,127 | NXP Semiconductors PSMN009-100W,127 | PSMN009-100W,127 Inventory, Best Pricing

PSMN009-100W,127

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	PSMN009-100W,127
LIXINC Part #	PSMN009-100W,127
Producent	NXP Semiconductors
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 100A TO247-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	PSMN009-100W,127 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

PSMN009-100W,127 Specyfikacje

Numer części:	PSMN009-100W,127
Marka:	NXP Semiconductors
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	NXP Semiconductors
seria:	TrenchMOS™
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	214 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	9000 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	300W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247-3
opakowanie / etui:	TO-247-3