BTS113AE3045ANTMA1 | IR (Infineon Technologies) BTS113AE3045ANTMA1 | BTS113AE3045ANTMA1 Inventory, Best Pricing

BTS113AE3045ANTMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BTS113AE3045ANTMA1
LIXINC Part #	BTS113AE3045ANTMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BTS113AE3045ANTMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BTS113AE3045ANTMA1 Specyfikacje

Numer części:	BTS113AE3045ANTMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	TEMPFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	11.5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	170mOhm @ 5.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	560 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	40W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB