2N6661JTVP02 | Vishay / Siliconix 2N6661JTVP02 | 2N6661JTVP02 Inventory, Best Pricing

2N6661JTVP02

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	2N6661JTVP02
LIXINC Part #	2N6661JTVP02
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	2N6661JTVP02 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

2N6661JTVP02 Specyfikacje

Numer części:	2N6661JTVP02
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	90 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	860mA (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	50 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-39
opakowanie / etui:	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can